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三星2021年量产3nm工艺 性能提升35%-平板电脑推荐

数码广场-艾特邦:未来科技-转载在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时,三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工sff美国分会上,三星宣布四种finfet工艺,涵盖了7nm到4nm,再往后则是3nm gaa工艺了,通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面积缩小45%。

目前先进半导体制造工艺已经进入10nm节点以下,台积电去年率先量产7nm工艺,但没有euv光刻工艺,三星则选择了直接进入7nm euv工艺,进度上要比台积电落后一年,不过三星现在要加速追赶了。
除了7nm finfet工艺之外,三星还规划了另外三种finfet工艺——6nm、5nm、4nm,今年将完成6nm工艺的批量生产,并完成4nm工艺的开发。
今年4月份将完成5nm工艺的产品设计,下半年准备就绪,2020年三星将量产5nm工艺,这个进度差不多就跟台积电量产5nm工艺的时间同步了,后者也是2020年量产5nm工艺。
4nm工艺之后三星将进入3nm节点,官方称之为3gae工艺,不过3nm工艺时代不再使用finfet晶体管,而是使用全新的晶体管结构——gaa(gate-all-around环绕栅极)晶体管,通过使用纳米片设备制造出了mbcfet(multi-bridge-channel fet,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代finfet晶体管技术。
此外,mbcfet技术还能兼容现有的finfet制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。虽然三星官方没有明确3gae工艺量产时间,不过2021年量产是大概率事件。

与7nm技术相比,三星的3gae工艺旨在将芯片面积减少45%,功耗降低50%或性能提高35%。基于gaa的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用,例如移动、网络通讯、汽车电子、人工智能(ai)和iot物联网等。
目前三星还在开发3gae工艺中,不过他们4月份就发布了3gae工艺的pdk 1.0工艺设计套件,旨在帮助客户尽早开始设计工作,提高设计竞争力,同时缩短周转时间(tat)。
除了上述先进工艺之外,三星在低功耗的fd-soi工艺上也会继续深入开发,今年会完成28fds工艺后续的18fds工艺以及1gb容量的emram存储芯片后续的开发。

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